Texas okrug sudi Samsung Electronics kompaniyasini Dallas yaqinida joylashgan Koreya ilg‘or texnologiyalari instituti (KAIST IP US) patent byurosiga tegishli patentni buzganlikda aybdor deb topdi. Shu sababli sud Samsung’ga 400 mln dollarlik jarima solgan.

Bloomberg axborot agentligining ma'lum qilishicha, gap FinFet texnologiyasi – mikrochipning unumdorligini sezilarli oshirishga va shu bilan birga uning energiya sarfini kamaytirishga imkon beruvchi tranzistor haqida ketmoqda. KAIST IP US’ning bayonotiga ko‘ra, Samsung dastlab ushbu ixtironi mayda deb hisoblab, unga bepisandgina munosabat bildirgan. Biroq bu tranzistorga Samsung’ning yarimo‘tkazgichlar bozoridagi asosiy raqobatchisi Intel e'tibor qaratgandan keyin u ham bu texnologiya ustida ishlash bilan shug‘ullana boshlagan. Kompaniya shu tariqa Intel va KAIST o‘rtasidagi kelishuvni buzgan.

Janubiy Koreya kompaniyasining ta'kidlashicha, u texnologiyani yaratish ustida Koreya instituti bilan birgalikda ishlagan va shu sababli ixtiroga huquqni buzgan hisoblanmaydi. Kompaniya sud qarori ustidan arz qilmoqchi.